Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiterbauelement-SIHF10N40D-E3

Name: Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiterbauelement-SIHF10N40D-E3
Brand: Vishay Semiconductor
SKU: SIHF10N40D-E3
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (183 reviews)

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets

Grundlegende Informationen

Markenname:	Vishay Semiconductor
Modellnummer:	SIHF10N40D-E3

Min Bestellmenge:	1-teilig
Lieferzeit:	2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T/T

Bestpreis Kontakt

Marke:	Vishay-Halbleiter	Zertifikat:	/
Modell:	SIHF10N40D-E3	MOQ:	1 PC
Preis:	Negotiated	Lieferung:	2~8 Arbeitstage
Zahlung:	T/T
Markieren:	N-Kanal-getrennte Halbleiterbauelemente , Getrennte Halbleiterbauelemente EAR99 , SIHF10N40D-E3

Produkt-technische Spezifikationen

Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3

EU RoHS	Konform
ECCN (US)	EAR99
Teil-Status	Aktiv
HTS	8541.29.00.95
Automobil	Nein
PPAP	Nein
Produkt-Kategorie	Energie MOSFET
Konfiguration	Einzeln
Kanal-Modus	Verbesserung
Kanaltyp	N
Zahl von Elementen pro Chip	1
Maximale Abfluss-Quellspannung (V)	400
Maximale Gate-Source-Spannung (V)	±30
Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V)	5
Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a)	10
Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na)	100
Maximales IDSS (MA)	1
Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm)	600@10V
Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC)	15@10V
Typische Tor-Gebühr @ 10V (nC)	15
Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF)	526@100V
Höchstleistungs-Ableitung (mW)	33000
Typische Abfallzeit (ns)	14
Typische Anstiegszeit (ns)	18
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns)	18
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns)	12
Minimale Betriebstemperatur (°C)	-55
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C)	150
Lieferanten-Paket	TO-220FP
Pin Count	3
Standardpaket-Name	TO-220
Montage	Durch Loch
Paket-Höhe	16,12 (maximal)
Paket-Länge	10,63 (maximal)
Paket-Breite	4,83 (maximal)
PWB änderte	3
Vorsprung	Vorsprung
Führungs-Form	Durch Loch