China Elektronischer IC-Chip fabricant

Bester Service, bester Chip

Chinas größte one-stop Beschaffung von Komponenten

German
Fordern Sie ein Zitat
Produkte

getrennte Halbleiterbauelemente 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A

900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
Grundlegende Informationen
Markenname: INFINEON
Modellnummer: IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Min Bestellmenge: 1-teilig
Lieferzeit: 2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Bestpreis Kontakt
Marke: Infineon Zertifikat: /
Modell: IRF1404PBF IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Preis: Negotiated Lieferung: 2~8 Arbeitstage
Zahlung: T/T
Markieren:

Getrennte Halbleiterbauelemente 06N90E

,

Getrennte Halbleiterbauelemente FMV06N90E

,

FMH06N90E

Produkt-Beschreibung

 

Getrennte Halbleiter 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

 

N-Kanal-Energie MOSFET IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V einzelner in einem Paket TO-220

Über IRF1404PBF:

 

Zusammenfassung von Eigenschaften
N-Kanal-Energie MOSFET IRF1404 40V einzelner in einem Paket TO-220
Planare Zellstruktur für breites SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit von den Verteilungspartnern
Produktqualifikation entsprechend JEDEC-Standard
Industriekompatibles Oberflächebergenergiepaket
Hoch-gegenwärtige Bewertung

 

Nutzen:

Erhöhte Rauheit
Multi-Verkäuferkompatibilität
Industriekompatibles Qualifikationsniveau
Standard-pinout lässt Tropfen des Ersatzes zu
Hohe Strombelastbarkeit

Produkt-technische Spezifikationen

Parametrics IRF1404
Identifikation (@25°C) maximal 202 A
Montage THT
Ptot maximal 200 W
Paket TO-220
Polarität N
QG (Art @10V) 131 nC
Qgd 42 nC
RDS (an) (@10V) maximal mΩ 4
RthJC maximal 0,75 K/W
Spezielle Eigenschaften Breites SOA
Tj maximal °C 175
VDS maximal 40 V
Minute VGS (Th) maximal 3 V 2 V 4 V
VGS maximal 20 V

 

Größe und Tag:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602,

IRFB4310PBF,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

Kontaktdaten
Mehr Getrennte Halbleiterbauelemente
China Gut Qualität Elektronischer IC-Chip Fournisseur. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.