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Getrennter Transistor der Energie-H30R1602 der Halbleiterbauelement-IHW30N160R2 IGBT

H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Discrete Semiconductor Devices IHW30N160R2 IGBT Transistor
Grundlegende Informationen
Markenname: Infineon Technoctifier Ilogies/International ReOR
Modellnummer: IHW30N160R2FKSA1
Min Bestellmenge: 1-teilig
Lieferzeit: 2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Bestpreis Kontakt
Marke: Infineon Technologies/internationaler Gleichrichter IOR Zertifikat: /
Modell: IHW30N160R2FKSA1 MOQ: 1 PC
Preis: Negotiated Lieferung: 2~8 Arbeitstage
Zahlung: T/T
Markieren:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602

,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

,

IHW30N160R2

Produkt-Beschreibung

 

Schaltungs-Reihen-Leistungshalbleiter ICs IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2 IGBTs Transistor-H30R1602 weiche weiche zugeschaltete Reihe

 

Anwendungen:
• Induktives Kochen
• Weiche zugeschaltete Anwendungen

 

Beschreibung:

TrenchStop®-Rückseite Leit (RC-) IGBT mit monolithischer Körperdiode
Eigenschaften:
• Leistungsfähige monolithische Körper-Diode mit sehr niedriger Vorwärtsspannung
• Körperdiode klemmt negative Spannungen fest
• Graben- und Fieldstop-Technologie für 1600 v-Anwendungsangebote:
- sehr feste Parameterverteilung
- hohe Rauheit, stabiles Verhalten der Temperatur
• Npt-Technologie bietet die zugeschaltete Fähigkeit der einfachen Ähnlichkeit an, die zu passend ist
positiver Temperaturkoeffizient in VCE (saß)
• Niedrige EMS
• Qualifiziert entsprechend JEDEC1
für Zielanwendungen
• Pb-freier Führungsüberzug; RoHS konform

 

Spezifikation: IGBT NPT, Graben-Feld-Halt 1600 V 60 A 312 W durch Loch PG-TO247-3-1

TeilnummerIHW30N160R2
Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
　
Transistoren - IGBTs - einzeln
Reihe
TrenchStop®
Paket
Rohr
IGBT-Art
NPT, Graben-Feld-Halt
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal)
1600 V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal)
60 A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm)
90 A
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC
2.1V @ 15V, 30A
Macht- maximales
312 W
Zugeschaltete Energie
4.37mJ
Eingegebene Art
Standard
Tor-Gebühr
94 nC
TD (AN/AUS) @ 25°C
-/525ns
Testbedingung
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-40°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art
Durch Loch
Paket/Fall
TO-247-3
Lieferanten-Gerät-Paket
PG-TO247-3-1
 

Größe und Tag:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602,

IRFB4310PBF,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

Kontaktdaten
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