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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Grundlegende Informationen
Markenname: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Modellnummer: IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Min Bestellmenge: 1-teilig
Lieferzeit: 2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Bestpreis Kontakt
Marke: Infineon Technologies/internationaler Gleichrichter IOR Zertifikat: /
Modell: IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF MOQ: 1 PC
Preis: Negotiated Lieferung: 2~8 Arbeitstage
Zahlung: T/T
Markieren:

Mosfet Energie FET HEXFET

,

Mosfet Energie IRFB7440PBF HEXFET

,

IRFB4310PBF

Produkt-Beschreibung

 

MOSFETs FETs Transistoren TO-220AB HEXFET IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A

 

Transistor-N-Kanal 180A 200W durch Loch TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A

 

Beschreibung:
Dieser HEXFET®-Energie MOSFET verwendet die spätesten Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen.
Zusätzliche Eigenschaften dieses Produktes sind eine Betriebstemperatur der Kreuzung 175°C, schneller Schaltverzögerung und verbesserter sich wiederholender Lawinenbewertung. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen Entwurf ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen herzustellen.

N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) durch Spezifikation des Loch-TO-220AB:

Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
　
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Infineon Technologies
Reihe
HEXFET®
Paket
Rohr
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
40 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
4340 PF @ 25 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art
Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket
TO-220AB
Paket/Fall
TO-220-3
Niedrige Produkt-Zahl
IRF1404

 

Größe und Tag:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602,

IRFB4310PBF,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

Kontaktdaten
Mehr Getrennte Halbleiterbauelemente
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