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IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Grundlegende Informationen
Markenname: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Modellnummer: IRF1404ZPBF
Min Bestellmenge: 1-teilig
Lieferzeit: 2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Bestpreis Kontakt
Marke: Infineon Technologies/internationaler Gleichrichter IOR Zertifikat: /
Modell: IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Preis: Negotiated Lieferung: 2~8 Arbeitstage
Zahlung: T/T
Markieren:

Kanal-Transistor 200W N

,

Kanal-Transistor 180A N

,

IRF1404ZPBF

Produkt-Beschreibung

Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N

 

IRF1404ZPBF-Transistor-N-Kanal 180A 200W durch Loch TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs

 

N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) durch Spezifikation des Loch-TO-220AB:

Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
　
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Infineon Technologies
Reihe
HEXFET®
Paket
Rohr
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
40 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
180A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
4V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
4340 PF @ 25 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art
Durch Loch
Lieferanten-Gerät-Paket
TO-220AB
Paket/Fall
TO-220-3
Niedrige Produkt-Zahl
IRF1404

 

Beschreibung

Dieser HEXFET®-Energie MOSFET verwendet die spätesten Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen.

Zusätzliche Eigenschaften dieses Produktes sind eine Betriebstemperatur der Kreuzung 175°C, schneller Schaltverzögerung und verbesserter sich wiederholender Lawinenbewertung. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen Entwurf ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen herzustellen.

Größe und Tag:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602,

IRFB4310PBF,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

Kontaktdaten
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