Produkt-Beschreibung

Energie Infineon HEXFET Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF MOSFET N

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/internationale Gleichrichter IOR HEXFET getrennte Halbleiter-Produkte MOSFET-N-Kanal-55V 30A DPAK

Berg D-PAK des N-Kanal-55 V 30A (Tc) der Oberflächen-120W (Tc)

Beschreibung

Dieser HEXFET®-Energie MOSFET verwendet die spätesten Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen.

Zusätzliche Eigenschaften dieses Produktes sind eine Betriebstemperatur der Kreuzung 175°C, schneller Schaltverzögerung und verbesserter sich wiederholender Lawinenbewertung. Diese Eigenschaften kombinieren, um diesen Entwurf ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen herzustellen.

Eigenschaften:

Moderne Betriebstemperatur-schnelle zugeschaltete sich wiederholende Lawine des Verfahrenstechnik-ultra niedrige Auf-Widerstand-175°C erlaubt bis zu Weide Tjmax D-PAK IRLR3915PbF Ich-PAK IRLU3915PbF

Produkt-technische Spezifikationen