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Ultraschnelle IGBT 31A 600V Dioden-Transistoren STGWA19NC60HD GWA19NC60HD

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Grundlegende Informationen
Markenname: STMicroelectronics
Modellnummer: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD
Min Bestellmenge: 1-teilig
Lieferzeit: 2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
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Marke: STMicroelectronics Zertifikat: /
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Transistoren der Dioden-600V

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Prduct-Beschreibung

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD ultraschnelles IGBT 31 A 600 V schnelles IGBT mit ultraschneller Diode

Transistoren - IGBTs - einzelnes 31 A, 600 V, sehr schnelles IGBT mit ultraschneller Diode

 

Produktdetails

 

Beschreibung:

Dieses Gerät ist ein ultraschnelles IGBT.

Es verwendet den modernen Prozess der Energie MESH™ mit dem Ergebnis eines ausgezeichneten Kompromisses zwischen zugeschalteter Leistung und niedrigem Ein-Zustands-Verhalten.

 

Eigenschaften

Niedriger Aufspannungstropfen (VCE (saßen))

Anti-parallele Diode der sehr weichen ultraschnellen Wiederaufnahme

 

Anwendungen

■Hochfrequenzmotorantriebe

■SMPS und PFC im harten Schalter und in den Resonanztopologien

 

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Größe und Tag:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602,

IRFB4310PBF,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

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