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Diodes Incorporated Diskrete Halbleiterbauelemente 1N5263B-T

Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Grundlegende Informationen
Markenname: Diodes Incorporated
Modellnummer: 1N5263B-T
Min Bestellmenge: 1 Stück
Lieferzeit: 2~8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
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Marke: Dioden enthalten Zertifikat: /
Modell: 1N5263B-T MOQ: 1 PC
Preis: Negotiated Lieferung: 2~8 Arbeitstage
Zahlung: T/T
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Diodes Incorporated Diskrete Halbleiterbauelemente

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Diskrete Halbleiterbauelemente 1N5263B-T

Diodes Incorporated 1N5263B-T

 

Original Dioden integriert Herstellermodell 1N5263B-T
Verkäufer Meister Anbietermodell 11234142
Typ Zenerdiode Chargennummer --
Anzahl der Packstücke -- wickeln --
Produktbeschreibung DIODE ZENER 56V 500MW DO35
Spezifikationen Zahlenwert
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 261
Toleranz ±5%
Leistung max 500mW
Impedanz (Max) (Zzt) 150 Ohm
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 100 nA bei 43 V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1,1 V bei 200 mA
Betriebstemperatur -65 °C ~ 200 °C
Befestigungsart Durchgangsloch
Paket / Koffer DO-204AH, DO-35, axial
Gerätepaket des Lieferanten DO-35

Größe und Tag:

Getrennte Halbleiterbauelemente H30R1602,

IRFB4310PBF,

IGBT-Energie-getrennte Halbleiterbauelemente

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